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UF640L-TN3-R

在3个相关元器件中,UF640L-TN3-R有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
UF640L-TN3-R 友顺(UTC) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,18A 下载
UF640L-TN3-R UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
UF640L-TN3-R 深圳杜因特(DOINGTER) N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 下载
UF640L-TN3-R的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,18A

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻180mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型N沟道
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