| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SSS7N60 | SAMSUNG(三星) | N-CHANNEL POWER MOSFETS | 下载 |
| SSS7N60A | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | 下载 |
| SSS7N60A | SAMSUNG(三星) | ADVANCED POWER MOSFET | 下载 |
| SSS7N60B | Fairchild | 600V N-Channel MOSFET | 下载 |
| SSS7N60B | ISC | Isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SFM |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 42 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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