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RFP30P05

在6个相关元器件中,RFP30P05有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
RFP30P05 Intersil ( Renesas ) 30 A, 50 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
RFP30P05 Fairchild Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 下载
RFP30P05 ON Semiconductor(安森美) MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB 下载
RFP30P05 Renesas(瑞萨电子) 30A, 50V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
RFP30P05 Harris Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 下载
RFP30P05 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 下载
RFP30P05的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值120 W
最大功率耗散 (Abs)120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)75 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)80 ns
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