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RFP30P05: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小365KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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RFP30P05概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RFP30P05规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Fairchild
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	120 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

RFP30P05相似产品对比

	RFP30P05	RFG30P05	RF1S30P05SM	RF1S30P05SM9A
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247,	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	50 V	50 V	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A	30 A	30 A	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	30 A	30 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω	0.065 Ω	0.065 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-247	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	120 W	120 W	120 W	120 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Fairchild	-	Fairchild	Fairchild

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