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RFP30P05

产品描述MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小366KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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RFP30P05概述

MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB

RFP30P05规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)65 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)170nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3200pF @ 25V
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
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