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NTD80N02

eeworld网站中关于NTD80N02有17个元器件。有NTD80N02、NTD80N02-001等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
NTD80N02 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 24V 80A N-Channel 下载
NTD80N02-001 ON Semiconductor(安森美) Power MOSFET 下载
NTD80N02-001 Rochester Electronics 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 下载
NTD80N02-001G ON Semiconductor(安森美) 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 下载
NTD80N02-032 ON Semiconductor(安森美) Power MOSFET 下载
NTD80N02-032G ON Semiconductor(安森美) Power MOSFET 下载
NTD80N02032G ON Semiconductor(安森美) 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 下载
NTD80N02-1 ON Semiconductor(安森美) TRANSISTOR 80 A, 24 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power 下载
NTD80N02-1G ON Semiconductor(安森美) MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm 下载
NTD80N02-1G Rochester Electronics 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 下载
NTD80N02-1G 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
NTD80N02G ON Semiconductor(安森美) MOSFET 24V 80A N-Channel 下载
NTD80N02G Rochester Electronics 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 下载
NTD80N02T4 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 24V 80A N-Channel 下载
NTD80N02T4 Rochester Electronics 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3 下载
NTD80N02T4G ON Semiconductor(安森美) MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm 下载
NTD80N02T4G Rochester Electronics 80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 下载
关于NTD80N02相关文档资料:
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NTD80N02-1G 、 NTD80N02T4G 下载文档
NTD80N02-001G 、 NTD80N02032G 下载文档
NTD80N02-1G 下载文档
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NTD80N02资料比对:
型号 NTD80N02 NTD80N02G NTD80N02T4 NTD80N02T4G
描述 MOSFET 24V 80A N-Channel MOSFET 24V 80A N-Channel MOSFET 24V 80A N-Channel MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数 3 3 4 4
制造商包装代码 CASE 369AA-01 CASE 369AA-01 369AA 369AA
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 733 mJ 733 mJ 733 mJ 733 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 24 V 24 V 24 V 24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 80 A 80 A 80 A 80 A
最大漏极电流 (ID) 80 A 80 A 80 A 80 A
最大漏源导通电阻 0.0058 Ω 0.0058 Ω 0.0058 Ω 0.0058 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3 e0 e3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W 75 W 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A 200 A 200 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
湿度敏感等级 1 1 - 1
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