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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NTD80N02T4

NTD80N02T4: 产品描述80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小765KB，共9页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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NTD80N02T4概述

80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3

NTD80N02T4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	CASE 369AA-01, DPAK-3
针数	3
制造商包装代码	CASE 369AA-01
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	733 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V
最大漏极电流 (ID)	80 A
最大漏源导通电阻	0.0058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NTD80N02T4相似产品对比

	NTD80N02T4	NTD80N02G	NTD80N02-001
描述	80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3	80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3	80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	CASE 369AA-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3	CASE 369D-01, DPAK-3
针数	3	3	3
制造商包装代码	CASE 369AA-01	CASE 369AA-01	CASE 369D-01
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	733 mJ	733 mJ	733 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V	24 V	24 V
最大漏极电流 (ID)	80 A	80 A	80 A
最大漏源导通电阻	0.0058 Ω	0.0058 Ω	0.0058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e3	e0
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	240
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A	200 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	YES	NO
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	40	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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