NTD80N02-1G,NTD80N02-1G pdf中文资料,NTD80N02-1G引脚图,NTD80N02-1G电路-Datasheet-电子工程世界

NTD80N02-1G: 产品描述80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小812KB，共9页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3

	NTD80N02-1G	NTD80N02T4G
描述	80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3	80A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
是否无铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数	3	3
制造商包装代码	CASE 369D-01	CASE 369AA-01
Reach Compliance Code	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	733 mJ	733 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V	24 V
最大漏极电流 (ID)	80 A	80 A
最大漏源导通电阻	0.0058 Ω	0.0058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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