| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| NTD6414ANT4G | ON Semiconductor(安森美) | Coin Cell Battery 3V 12 X 2.5 mm 48mA | 下载 |
| NTD6414ANT4G | Rochester Electronics | 32A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3 | 下载 |
32A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369AA-01 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 雪崩能效等级(Eas) | 154 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 32 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.037 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 117 A |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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