电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

NDS335N

eeworld网站中关于NDS335N有12个元器件。有NDS335N、NDS335N等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
NDS335N Fairchild 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
NDS335N ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode 下载
NDS335N Texas Instruments(德州仪器) 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
NDS335N/D87Z Texas Instruments(德州仪器) 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
NDS335ND87Z Fairchild Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 下载
NDS335N_D87Z Fairchild MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode 下载
NDS335N/L99Z Texas Instruments(德州仪器) 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
NDS335NL99Z Fairchild Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 下载
NDS335N_NL Fairchild Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 下载
NDS335N_Q Fairchild MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode 下载
NDS335N/S62Z Texas Instruments(德州仪器) 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
NDS335NS62Z Fairchild Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 下载
关于NDS335N相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
NDS335N/D87Z 、 NDS335N/L99Z 、 NDS335N/S62Z 下载文档
NDS335NL99Z 、 NDS335NS62Z 下载文档
NDS335N_Q 下载文档
NDS335ND87Z 下载文档
NDS335N_NL 下载文档
NDS335N_D87Z 下载文档
NDS335N 下载文档
NDS335N 下载文档
NDS335N 下载文档
NDS335N资料比对:
型号 NDS335N/D87Z NDS335N/L99Z NDS335N/S62Z
描述 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 1.7 A 1.7 A 1.7 A
最大漏源导通电阻 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.46 W 0.46 W 0.46 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   06 1Z 8F B1 E8 IB KJ MR NL NY QP RG UX VQ X6

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved