器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
NCEP0112AS | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP0114AS | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP0114AS | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 NMOS,100V/14A,8.8mΩ; | 下载 |
NCEP0140AG | 无锡新洁能 | —— | 下载 |
NCEP0160F | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP0160G | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP0160G | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/60A,8.5mΩ; | 下载 |
NCEP0178A | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP0178AF | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP0178AK | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V | 下载 |
NCEP0178AK | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | 下载 |
NCEP01T11 | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T11 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):108A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T12 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):129A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):185W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T13 | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T13 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T13A | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T13AD | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T13D | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T13D | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V | 下载 |
NCEP01T15 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
NCEP01T18 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T18 | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T18T | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T30T | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
NCEP01T30T | NCE Power | NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 170A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 3.8mΩ @ 75A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 250W(Tc) |
类型 | N沟道 |
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