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NCEP040N85

在26个相关元器件中,NCEP040N85有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NCEP0112AS Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 下载
NCEP0114AS NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP0114AS Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 NMOS,100V/14A,8.8mΩ; 下载
NCEP0140AG 无锡新洁能 —— 下载
NCEP0160F Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP0160G NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP0160G Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/60A,8.5mΩ; 下载
NCEP0178A Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP0178AF Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP0178AK Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V 下载
NCEP0178AK 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
NCEP01T11 NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T11 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):108A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T12 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):129A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):185W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T13 NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T13 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T13A Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T13AD Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):135mA(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):210W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T13D NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T13D Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V 下载
NCEP01T15 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP01T18 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T18 NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T18T NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T30T Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP01T30T NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP040N85的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)170A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.8mΩ @ 75A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)250W(Tc)
类型N沟道
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