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MXLSMLG150Ae3

eeworld网站中关于MXLSMLG150Ae3有4个元器件。有MXLSMLG150Ae3、MXLSMLG150AE3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MXLSMLG150Ae3 Microsemi ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor 下载
MXLSMLG150AE3 Microchip(微芯科技) 243V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMLG(DO-215AB) 下载
MXLSMLG150AE3TR Microsemi 3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN 下载
MXLSMLG150AE3/TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 150V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN 下载
关于MXLSMLG150Ae3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
MXLSMLG150AE3/TR 、 MXLSMLG150AE3TR 下载文档
MXLSMLG150Ae3 下载文档
MXLSMLG150Ae3资料比对:
型号 MXLSMLG150AE3/TR MXLSMLG150AE3TR
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 150V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN 3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大击穿电压 185 V 185 V
最小击穿电压 167 V 167 V
击穿电压标称值 176 V 176 V
最大钳位电压 243 V 243 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-215AB DO-215AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 3000 W 3000 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.61 W 1.61 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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