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MUN5237DW1T1

在6个相关元器件中,MUN5237DW1T1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MUN5237DW1T1 ON Semiconductor(安森美) 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
MUN5237DW1T1 ETL [E-Tech Electronics LTD] Dual Bias ResistorTransistors 下载
MUN5237DW1T1 LRC Dual Bias Resistor Transistors 下载
MUN5237DW1T1 Rochester Electronics 100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN 下载
MUN5237DW1T1 WILLAS ELECTRONIC CORP. Dual Bias Resistor Transistors 下载
MUN5237DW1T1G ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN 下载
MUN5237DW1T1的相关参数为:

器件描述

100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SC-88
包装说明CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
针数6
制造商包装代码CASE 419B-02
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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器件入口   40 7X 8G C3 H7 HL JX L0 SD TJ UN X6 YC Z8 ZP

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