| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MSMLJ100CA/TR | Microsemi | ESD 抑制器/TVS 二极管 | 下载 |
| MSMLJ100CATR | Microsemi | 3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| MSMLJ100CAE3TR 、 MSMLJ100CATR | 下载文档 |
| MSMLJ100CA/TR 、 MSMLJ100CAE3/TR | 下载文档 |
| MSMLJ100CA | 下载文档 |
| MSMLJ100CAe3 | 下载文档 |
| 型号 | MSMLJ100CA/TR | MSMLJ100CAE3/TR |
|---|---|---|
| 描述 | ESD 抑制器/TVS 二极管 | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
| 包装说明 | PLASTIC, SMLJ, 2 PIN | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 123 V | 123 V |
| 最小击穿电压 | 111 V | 111 V |
| 击穿电压标称值 | 117 V | 117 V |
| 最大钳位电压 | 162 V | 162 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-214AB | DO-214AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W | 3000 W |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1.61 W | 1.61 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V | 100 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn10Pb90) | MATTE TIN |
| 端子形式 | C BEND | C BEND |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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