| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MSMLG45CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 45V 72.7V DO215AB | 下载 |
| MSMLG45CAE3 | Microchip(微芯科技) | 72.7V 夹子 41.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMLG(DO-215AB) | 下载 |
| MSMLG45CAE3/TR | Microsemi | TVS | 下载 |
| MSMLG45CAE3TR | Microsemi | 3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN | 下载 |
| 型号 | MSMLG45CAE3 | MSMLG45CAE3/TR |
|---|---|---|
| 描述 | TVS DIODE 45V 72.7V DO215AB | TVS |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
| 包装说明 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 55.3 V | 55.3 V |
| 最小击穿电压 | 50 V | 50 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-215AB | DO-215AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W | 3000 W |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1.61 W | 1.61 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 45 V | 45 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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