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MMBF170LT3

eeworld网站中关于MMBF170LT3有4个元器件。有MMBF170LT3、MMBF170LT3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MMBF170LT3 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 20V 500mA N-Channel 下载
MMBF170LT3 Motorola ( NXP ) Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB 下载
MMBF170LT3G ON Semiconductor(安森美) MOSFET 20V 500mA N-Channel 下载
MMBF170LT3G Rochester Electronics 500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, CASE 318-08, 3 PIN 下载
关于MMBF170LT3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
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MMBF170LT3资料比对:
型号 MMBF170LT3 MMBF170LT3G
描述 MOSFET 20V 500mA N-Channel MOSFET 20V 500mA N-Channel
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 TO-236, CASE 318-08, 3 PIN TO-236, 3 PIN
针数 3 3
制造商包装代码 CASE 318-08 318-08
Reach Compliance Code not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.5 A 0.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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