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MJB44H11T4G

eeworld网站中关于MJB44H11T4G有2个元器件。有MJB44H11T4G、MJB44H11T4G等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MJB44H11T4G ON Semiconductor(安森美) 额定功率:2W 集电极电流Ic:10A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN 下载
MJB44H11T4G Amphenol(安费诺) Bipolar Power Transistor, NPN, 10 A, 80 V, 50 Watt, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL 下载
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MJB44H11T4G资料比对:
型号 MJB44H11T4G MJB44H11T4G
描述 Bipolar Power Transistor, NPN, 10 A, 80 V, 50 Watt, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL 额定功率:2W 集电极电流Ic:10A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Amphenol(安费诺) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数 3 3
制造商包装代码 418B-04 418B-04
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
Is Samacsys N N
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1
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