器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
MID550-12A4 | IXYS ( Littelfuse ) | IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA | 下载 |
MID550-12A4 | IXYS | IGBT Modules 550 Amps 1200V | 下载 |
MID550-12A4 | Littelfuse | Insulated Gate Bipolar Transistor, 670A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | 下载 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 670A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 670 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2750 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 690 ns |
标称接通时间 (ton) | 160 ns |
VCEsat-Max | 2.8 V |
Base Number Matches | 1 |
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