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MC33172DT

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器件名 厂商 描 述 功能
MC33172DT ST(意法半导体) 增益带宽积(GBP):2.1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:220uA 压摆率(SR):2 V/us 电源电压:4V ~ 44V, ±2V ~ 22V MC33172DT 下载
MC33172DT的相关参数为:

器件描述

增益带宽积(GBP):2.1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:220uA 压摆率(SR):2 V/us 电源电压:4V ~ 44V, ±2V ~ 22V MC33172DT

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明ROHS COMPLIANT, MICRO, PLASTIC, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.2 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.1 µA
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压6500 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限-22 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源5/+-15 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1.6 V/us
标称压摆率2 V/us
最大压摆率0.3 mA
供电电压上限22 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
标称均一增益带宽2100 kHz
最小电压增益25000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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