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LDTD123YLT1G

在3个相关元器件中,LDTD123YLT1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LDTD123YLT1G LRC 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:50V 额定功率:200mW NPN 下载
LDTD123YLT1G Leiditech Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network 下载
LDTD123YLT1G_15 LRC Bias Resistor Transistor 下载
LDTD123YLT1G的相关参数为:

器件描述

晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:50V 额定功率:200mW NPN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)56
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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