1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| 针数 | 66 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 300 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22.22 mm |
| 内存密度 | 67108864 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSSOP66,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.39 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| K4D64163HF-TC33 | K4D64163HF | K4D64163HF-TC40 | K4D64163HF-TC36 | K4D64163HF-TC50 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM | 1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM | 1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM | 1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM | 1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | - |
| 零件包装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSSOP66,.46 | - | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| 针数 | 66 | - | 66 | 66 | 66 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.6 ns | - | 0.6 ns | 0.6 ns | 0.7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 300 MHz | - | 250 MHz | 275 MHz | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 22.22 mm | - | 22.22 mm | 22.22 mm | 22.22 mm |
| 内存密度 | 67108864 bi | - | 67108864 bi | 67108864 bi | 67108864 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 66 | - | 66 | 66 | 66 |
| 字数 | 4194304 words | - | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | - | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C | - | 65 °C | 65 °C | 65 °C |
| 组织 | 4MX16 | - | 4MX16 | 4MX16 | 4MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSSOP66,.46 | - | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5,3.3 V | - | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | - | 4096 | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | - | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.005 A | - | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.39 mA | - | 0.35 mA | 0.37 mA | 0.32 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | - | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | - | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
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