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KRC231

在4个相关元器件中,KRC231有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
KRC231M KEC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) 下载
KRC231S KEC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) 下载
KRC231S_02 KEC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 下载
KRC231S-RTK/P KEC 额定功率:200mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:15V 晶体管类型:NPN - 预偏压 NPN,Vceo=15V,Ic=600mA 下载
KRC231的相关参数为:

器件描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

参数
参数名称属性值
厂商名称KEC
零件包装代码TO-92M
包装说明CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
小广播

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