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JANTXV1N4966US

在7个相关元器件中,JANTXV1N4966US有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
JANTXV1N4966US Microsemi Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 下载
JANTXV1N4966US SENSITRON Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 下载
JANTXV1N4966US Bkc Semiconductors Inc Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, 下载
JANTXV1N4966US SEMTECH Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 下载
JANTXV1N4966US Microchip(微芯科技) 二极管 - 齐纳 22 V 5 W ±5% 表面贴装型 D-5B 下载
JANTXV1N4966US Defense Logistics Agency Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 下载
JANTXV1N4966US/TR Microsemi 稳压二极管 下载
JANTXV1N4966US的相关参数为:

器件描述

Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/356H
标称参考电压22 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间20
最大电压容差5%
工作测试电流50 mA
Base Number Matches1
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