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IXGN320N60A3

在3个相关元器件中,IXGN320N60A3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXGN320N60A3 Littelfuse Insulated Gate Bipolar Transistor, 下载
IXGN320N60A3 IXYS ( Littelfuse ) 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 下载
IXGN320N60A3 IXYS IGBT Transistors 320 Amps 600V 下载
IXGN320N60A3的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors 320 Amps 600V

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明MINIBLOC-4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)320 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)735 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1870 ns
标称接通时间 (ton)139 ns
VCEsat-Max1.25 V
Base Number Matches1
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