电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IXFN100N25

在2个相关元器件中,IXFN100N25有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXFN100N25 IXYS Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 250V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4 下载
IXFN100N25 IXYS ( Littelfuse ) MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds 下载
IXFN100N25的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 250V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)100 A
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   AA D2 E7 FE FH GZ IQ KW NA TH U8 WS X9 XK

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved