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IRFZ44EL

eeworld网站中关于IRFZ44EL有4个元器件。有IRFZ44EL、IRFZ44EL等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFZ44EL International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A) 下载
IRFZ44EL Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 下载
IRFZ44ELPBF International Rectifier ( Infineon ) HEXFET㈢ Power MOSFET 下载
IRFZ44ELPBF Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN 下载
关于IRFZ44EL相关文档资料:
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IRFZ44ELPBF 下载文档
IRFZ44EL 下载文档
IRFZ44EL资料比对:
型号 IRFZ44ELPBF IRFZ44EL
描述 Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 220 mJ 220 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 48 A 48 A
最大漏极电流 (ID) 48 A 48 A
最大漏源导通电阻 0.023 Ω 0.023 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 192 A 192 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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