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IRFZ24S

eeworld网站中关于IRFZ24S有13个元器件。有IRFZ24S、IRFZ24S等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFZ24S International Rectifier ( Infineon ) HEXFET Power MOSFET 下载
IRFZ24S Vishay(威世) MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 下载
IRFZ24SPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRFZ24SPBF Vishay(威世) MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch 下载
IRFZ24STRL Vishay(威世) MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 下载
IRFZ24STRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRFZ24STRLPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRFZ24STRLPBF Vishay(威世) MOSFET 60V 17A 60W 下载
IRFZ24STRR Vishay(威世) MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK 下载
IRFZ24STRR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRFZ24STRRPBF Vishay(威世) MOSFET MOSFET N-Channel 60V 下载
IRFZ24STRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRFZ24S_V01 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
关于IRFZ24S相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFZ24SPBF 、 IRFZ24STRL 、 IRFZ24STRRPBF 下载文档
IRFZ24STRL 、 IRFZ24STRR 下载文档
IRFZ24S 、 IRFZ24STRLPBF 下载文档
IRFZ24STRLPBF 、 IRFZ24STRRPBF 下载文档
IRFZ24STRR 下载文档
IRFZ24SPBF 下载文档
IRFZ24S 下载文档
IRFZ24S资料比对:
型号 IRFZ24SPBF IRFZ24STRL IRFZ24STRRPBF
描述 MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch MOSFET N-Chan 60V 17 Amp MOSFET MOSFET N-Channel 60V
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 17 A 17 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 - 不含铅
Factory Lead Time 6 weeks - 10 weeks
最大漏极电流 (Abs) (ID) 17 A 17 A -
湿度敏感等级 1 - 3
最高工作温度 175 °C 175 °C -
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W -
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世)
雪崩能效等级(Eas) - 100 mJ 100 mJ
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 68 A 68 A
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