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IRFZ24STRL: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小357KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFZ24STRL概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

IRFZ24STRL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	17 A
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	60 W
最大功率耗散 (Abs)	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRFZ24STRL相似产品对比

	IRFZ24STRL	IRFZ24STRR
描述	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4	4
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ	100 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	17 A	17 A
最大漏极电流 (ID)	17 A	17 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	60 W	60 W
最大功率耗散 (Abs)	60 W	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A	68 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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