| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IRFU420A | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| IRFU420A | International Rectifier ( Infineon ) | SMPS MOSFET | 下载 |
| IRFU420A | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | 下载 |
| IRFU420A | Kersemi Electronic | 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 下载 |
| IRFU420A | SAMSUNG(三星) | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | 下载 |
| IRFU420A | Vishay(威世) | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | 下载 |
| IRFU420APBF | International Rectifier ( Infineon ) | 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 下载 |
| IRFU420APBF | IR | 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.3A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 N沟道,500V,3.3A,3Ω@10V | 下载 |
| IRFU420APBF | Vishay(威世) | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | 下载 |
| IRFU420APbF | Kersemi Electronic | 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 下载 |
| IRFU420ATU | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| IRFU420A 、 IRFU420APBF | 下载文档 |
| IRFU420A | 下载文档 |
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| IRFU420A | 下载文档 |
| IRFU420APbF | 下载文档 |
| IRFU420APBF | 下载文档 |
| IRFU420ATU | 下载文档 |
| IRFU420APBF | 下载文档 |
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| 型号 | IRFU420A | IRFU420APBF |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | TO-251AA | TO-251 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 雪崩能效等级(Eas) | 140 mJ | 140 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.3 A | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3 Ω | 3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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