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IRFP460PBF

在4个相关元器件中,IRFP460PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFP460PBF International Rectifier ( Infineon ) 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC 下载
IRFP460PBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:270mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,270mΩ@10V 下载
IRFP460PBF 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 500V (D-S) Super Junction Power MOSFET 下载
IRFP460PBF Thinki Semiconductor Co.,Ltd. 20A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 下载
IRFP460PBF的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:270mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time10 weeks
Samacsys DescriptionN-channel MOSFET,IRFP460 20A 500V
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)960 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.27 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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