| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IRFP460PBF | International Rectifier ( Infineon ) | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC | 下载 |
| IRFP460PBF | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:270mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,270mΩ@10V | 下载 |
| IRFP460PBF | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 500V (D-S) Super Junction Power MOSFET | 下载 |
| IRFP460PBF | Thinki Semiconductor Co.,Ltd. | 20A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:270mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | TO-247AC |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| Samacsys Description | N-channel MOSFET,IRFP460 20A 500V |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级(Eas) | 960 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.27 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247AC |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 280 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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