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IRFD224

在5个相关元器件中,IRFD224有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFD224 International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A) 下载
IRFD224 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRFD224PBF International Rectifier ( Infineon ) HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 250V , RDS(on) = 1.1ヘ , ID = 0.63A) 下载
IRFD224PBF Vishay(威世) I/O Controller Interface IC USB to I2S Audio bridge 下载
IRFD224_V01 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRFD224的相关参数为:

器件描述

Power MOSFET

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T3
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.63 A
最大漏极电流 (ID)0.63 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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