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IRFD224

产品描述Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小238KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFD224概述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)

IRFD224规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T3
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.63 A
最大漏极电流 (ID)0.63 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.3 W
最大功率耗散 (Abs)1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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