电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IRF7855PBF

在3个相关元器件中,IRF7855PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF7855PBF International Rectifier ( Infineon ) 12 A, 60 V, 0.0094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF7855PBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:4.9V @ 100uA 漏源导通电阻:9.4mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,60V,12A,9.4mΩ@10V 下载
IRF7855PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Primary Side Switch in Bridge Topology in Isolated DC-DC Converters 下载
IRF7855PBF的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:4.9V @ 100uA 漏源导通电阻:9.4mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,60V,12A,9.4mΩ@10V

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)540 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.0094 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)120 pF
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)97 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0B 1B 2S 2X 74 9B AA C2 K5 M8 T1 V3 WV Y5 YU

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved