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IRF640S

eeworld网站中关于IRF640S有21个元器件。有IRF640S、IRF640S等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF640S ST(意法半导体) N-channel TrenchMOS transistor 下载
IRF640S Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel TrenchMOS transistor 下载
IRF640S Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 18 Amp 下载
IRF640S International Rectifier ( Infineon ) N-channel TrenchMOS transistor 下载
IRF640S NXP(恩智浦) TRANSISTOR 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-404, D2PAK-3, FET General Purpose Power 下载
IRF640S Motorola ( NXP ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 下载
IRF640SPBF Vishay(威世) Power Switch ICs - Power Distribution SMART HIGH SIDE MINI-PROFET 下载
IRF640SPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 下载
IRF640S/T3 NXP(恩智浦) TRANSISTOR 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-404, D2PAK-3, FET General Purpose Power 下载
IRF640ST4 ST(意法半导体) 18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 下载
IRF640STR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRF640STRL Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 18 Amp 下载
IRF640STRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRF640STRLPBF Vishay(威世) —— 下载
IRF640STRLPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 下载
IRF640STRLPBFA Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRF640STRR Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 18 Amp 下载
IRF640STRR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IRF640STRRPBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 下载
IRF640STRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 下载
IRF640STRRPBFA Vishay(威世) Power MOSFET 下载
关于IRF640S相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRF640SPBF 、 IRF640STR 、 IRF640STRL 、 IRF640STRR 下载文档
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IRF640STRLPBF 、 IRF640STRRPBF 下载文档
IRF640S 、 IRF640SPBF 下载文档
IRF640STRLPBF 下载文档
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IRF640S资料比对:
型号 IRF640SPBF IRF640STR IRF640STRL IRF640STRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 4 4 4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A 72 A 72 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大漏极电流 (Abs) (ID) 18 A - 18 A 18 A
湿度敏感等级 1 - 1 1
最高工作温度 175 °C - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 130 W - 130 W 130 W
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