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IRF530NS

eeworld网站中关于IRF530NS有16个元器件。有IRF530NS、IRF530NS等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF530NS Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 下载
IRF530NS International Rectifier ( Infineon ) 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF530NS Kersemi Electronic 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF530NS ISC Isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRF530NS New Jersey Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载
IRF530NS Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263AB, 3 PIN 下载
IRF530NS 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
IRF530NSPBF Infineon(英飞凌) General Purpose Relays TV8 Rating DC5 1a contact 16A 下载
IRF530NSPBF International Rectifier ( Infineon ) 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF530NSPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRF530NSTRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 下载
IRF530NSTRLPBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 9A,10 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,17A 下载
IRF530NSTRLPBF International Rectifier ( Infineon ) 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF530NSTRR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 下载
IRF530NSTRRPBF International Rectifier ( Infineon ) 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF530NSTRRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC 下载
关于IRF530NS相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRF530NS 、 IRF530NSTRLPBF 下载文档
IRF530NSTRLPBF 下载文档
IRF530NSTRL 下载文档
IRF530NSTRR 下载文档
IRF530NSTRRPBF 下载文档
IRF530NSTRRPBF 下载文档
IRF530NSPBF_15 下载文档
IRF530NSPBF 下载文档
IRF530NS 下载文档
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IRF530NS资料比对:
型号 IRF530NS IRF530NSTRLPBF
描述 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 9A,10 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,17A
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) Infineon(英飞凌)
包装说明 D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 93 mJ 93 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 17 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.09 Ω 0.09 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 225 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A 60 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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