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IPN80R750P7

在2个相关元器件中,IPN80R750P7有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPN80R750P7 Infineon(英飞凌) 800V CoolMOSª P7 Power Transistor 下载
IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) COOLMOS P7 800V SOT-223 下载
IPN80R750P7的相关参数为:

器件描述

COOLMOS P7 800V SOT-223

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)750 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)460pF @ 500V
功率耗散(最大值)7.2W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-SOT223
封装/外壳SOT-223-3
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