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IPN70R2K0P7SATMA1

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器件名 厂商 描 述 功能
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET CONSUMER 下载
IPN70R2K0P7SATMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET CONSUMER

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压700 V
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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