电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IPB240N03S4LR8ATMA1

在1个相关元器件中,IPB240N03S4LR8ATMA1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH TO263-7 下载
IPB240N03S4LR8ATMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH TO263-7

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)0.76 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)380nC @ 10V
Vgs(最大值)±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)26000pF @ 25V
功率耗散(最大值)300W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO263-7-3
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   68 7K AG DO E7 F5 FF FY HJ MZ PY QB RL UB X9

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved