器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CH TO263-7 | 下载 |
MOSFET N-CH TO263-7
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 240A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 0.76 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 230µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 380nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 26000pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-TO263-7-3 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
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