| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPB065N10N3G | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
| IPB065N10N3 G | Infineon(英飞凌) | The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit). | 下载 |
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET MV POWER MOS | 下载 |
漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 80A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3.5V @ 90uA |
| 漏源导通电阻 | 6.5mΩ @ 80A,10V |
| 最大功率耗散(Ta=25°C) | 150W(Tc) |
| 类型 | N沟道 |
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