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IPB065N10N3G

在3个相关元器件中,IPB065N10N3G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPB065N10N3G Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 下载
IPB065N10N3 G Infineon(英飞凌) The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit). 下载
IPB065N10N3GATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET MV POWER MOS 下载
IPB065N10N3G的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)
栅源极阈值电压3.5V @ 90uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 80A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150W(Tc)
类型N沟道
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