| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| INA190A4IRSWT | Texas Instruments(德州仪器) | 40V, bi-directional, low-/high-side, zero-drift, voltage output CSA w/low bias current and enable 10-UQFN -40 to 125 | 下载 |
40V, bi-directional, low-/high-side, zero-drift, voltage output CSA w/low bias current and enable 10-UQFN -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | VQCCN, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| Samacsys Description | Current Sense Amplifiers 40V, Bi-Directional, Low-/High-Side, Zero-Drift, Voltage Output CSA w/low bias current and enable 10-UQFN -40 to 125 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.003 µA |
| 最大共模电压 | 40 V |
| 最小共模抑制比 | 132 dB |
| 标称共模抑制比 | 150 dB |
| 最大输入失调电压 | 15 µV |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-N10 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 1.8 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VQCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 座面最大高度 | 0.55 mm |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us |
| 供电电压上限 | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.4 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 33 kHz |
| 宽度 | 1.4 mm |
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