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HUFA76429D3ST

eeworld网站中关于HUFA76429D3ST有5个元器件。有HUFA76429D3ST、HUFA76429D3ST等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HUFA76429D3ST Renesas(瑞萨电子) 20A, 60V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
HUFA76429D3ST Fairchild MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch 下载
HUFA76429D3ST Intersil ( Renesas ) 20A, 60V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
HUFA76429D3ST_F085 Fairchild mosfet 20a 60v 0.027 ohm 下载
HUFA76429D3ST-F085 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm 下载
关于HUFA76429D3ST相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HUFA76429D3ST 、 HUFA76429D3ST 下载文档
HUFA76429D3ST_F085 下载文档
HUFA76429D3ST 下载文档
HUFA76429D3ST-F085 下载文档
HUFA76429D3ST资料比对:
型号 HUFA76429D3ST HUFA76429D3ST
描述 20A, 60V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 20A, 60V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.029 Ω 0.029 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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