电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

HUF76419S3ST

eeworld网站中关于HUF76419S3ST有8个元器件。有HUF76419S3ST、HUF76419S3ST等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HUF76419S3ST Fairchild Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, 下载
HUF76419S3ST Rochester Electronics 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
HUF76419S3ST Renesas(瑞萨电子) 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
HUF76419S3ST ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK 下载
HUF76419S3ST_F085 Fairchild mosfet 60v, 29a, 35mohm N-channel mosfet 下载
HUF76419S3ST-F085 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB 下载
HUF76419S3ST_NL Fairchild Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, 下载
HUF76419S3ST_NL Rochester Electronics 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
关于HUF76419S3ST相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HUF76419S3ST 、 HUF76419S3ST_NL 下载文档
HUF76419S3ST_F085 下载文档
HUF76419S3ST_NL 下载文档
HUF76419S3ST-F085 下载文档
HUF76419S3ST 下载文档
HUF76419S3ST 下载文档
HUF76419S3ST 下载文档
HUF76419S3ST资料比对:
型号 HUF76419S3ST_NL HUF76419S3ST
描述 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 29 A 29 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 NOT APPLICABLE
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT APPLICABLE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   6E 6L BI I6 JB JF LB MJ n5 OW QI RR TU V5 Y6

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved