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2SB621S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SB621S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN

2SB621S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)170
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

2SB621S相似产品对比

2SB621S 2SB621R AP5600N 2SB621Q 2SB621AS 2SB621AR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN Fast Switching Characteristic Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 - TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A - 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V - 25 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 170 120 - 85 170 120
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 - TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 3 3 - 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP - PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W - 0.75 W 0.75 W 0.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO - NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz - 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 - 1 1 1

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