电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

GS864272C-200

eeworld网站中关于GS864272C-200有8个元器件。有GS864272C-200、GS864272C-200I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS864272C-200 GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M 下载
GS864272C-200I GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M 下载
GS864272C-200IT GSI Technology Cache SRAM, 1MX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 下载
GS864272C-200IV GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 下载
GS864272C-200IVT GSI Technology Cache SRAM, 1MX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 下载
GS864272C-200T GSI Technology Cache SRAM, 1MX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 下载
GS864272C-200V GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 下载
GS864272C-200VT GSI Technology Cache SRAM, 1MX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 下载
关于GS864272C-200相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
GS864272C-200IVT 、 GS864272C-200VT 下载文档
GS864272C-200IV 、 GS864272C-200V 下载文档
GS864272C-200IT 、 GS864272C-200T 下载文档
GS864272C-200 、 GS864272C-200I 下载文档
GS864272C-200资料比对:
型号 GS864272C-200 GS864272C-200I
描述 SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 LBGA, LBGA,
针数 209 209
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 7.5 ns 7.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209
长度 22 mm 22 mm
内存密度 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 72 72
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 209 209
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 1MX72 1MX72
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.7 mm 1.7 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   C9 CF CU DX JG JV LC NP P9 RH S5 TN VS WZ Y4

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved