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FZ1200R12KF4

在3个相关元器件中,FZ1200R12KF4有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FZ1200R12KF4 Infineon(英飞凌) IGBT Modules 1200V 1200A SINGLE 下载
FZ1200R12KF4 EUPEC [eupec GmbH] transistor 下载
FZ1200R12KF4NOSA1 Infineon(英飞凌) IGBT MODULE 1200V 1200A 下载
FZ1200R12KF4的相关参数为:

器件描述

IGBT Modules 1200V 1200A SINGLE

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1050 ns
标称接通时间 (ton)700 ns
VCEsat-Max2.7 V
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