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FQD13N10TF

在2个相关元器件中,FQD13N10TF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FQD13N10TF Fairchild Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 下载
FQD13N10TF ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载
FQD13N10TF的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)180 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)16nC @ 10V
Vgs(最大值)±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)450pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),40W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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