| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FQD13N10TF | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | 下载 |
| FQD13N10TF | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 下载 |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 10A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±25V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 450pF @ 25V |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),40W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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