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FDPF18N20FT

在4个相关元器件中,FDPF18N20FT有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDPF18N20FT Fairchild Coin Cell Battery 3V 20X3.2MM 225mAH 下载
FDPF18N20FT ON Semiconductor(安森美) MOSFET UniFET 200V 下载
FDPF18N20FT-G ON Semiconductor(安森美) Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, FRFET®, 200V, 18A, 140mΩ, TO-220F, TO-220F 3L, 1000-TUBE 下载
FDPF18N20FT_G Fairchild mosfet 200v, 18a, 140mohm unifet frfet mosfet 下载
FDPF18N20FT的相关参数为:

器件描述

MOSFET UniFET 200V

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码221AT
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)324 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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