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FDP3672

在4个相关元器件中,FDP3672有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDP3672 Fairchild N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз 下载
FDP3672 ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):105V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):41A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):135W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 下载
FDP3672 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
FDP3672_NL Fairchild Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN 下载
FDP3672的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):105V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):41A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):135W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码340AT
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)48 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压105 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.9 A
最大漏极电流 (ID)5.9 A
最大漏源导通电阻0.033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)135 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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