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EP2C8AF256I8N

eeworld网站中关于EP2C8AF256I8N有4个元器件。有EP2C8AF256I8N、EP2C8AF256I8N等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
EP2C8AF256I8N Intel(英特尔) FPGA - Field Programmable Gate Array 下载
EP2C8AF256I8N Altera (Intel) Field Programmable Gate Array, 8256-Cell, CMOS, PBGA256, LEAD FREE, FBGA-256 下载
EP2C8AF256I8NES Altera (Intel) Field Programmable Gate Array, 516 CLBs, 402.5MHz, PBGA256, LEAD FREE, FBGA-256 下载
EP2C8AF256I8NES Intel(英特尔) Field Programmable Gate Array, 516 CLBs, 402.5MHz, PBGA256, LEAD FREE, FBGA-256 下载
关于EP2C8AF256I8N相关文档资料:
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EP2C8AF256I8N资料比对:
型号 EP2C8AF256I8N EP2C8AF256I8NES
描述 Field Programmable Gate Array, 8256-Cell, CMOS, PBGA256, LEAD FREE, FBGA-256 Field Programmable Gate Array, 516 CLBs, 402.5MHz, PBGA256, LEAD FREE, FBGA-256
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 LEAD FREE, FBGA-256 LBGA,
针数 256 256
Reach Compliance Code unknown compli
JESD-30 代码 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
JESD-609代码 e1 e1
长度 17 mm 17 mm
端子数量 256 256
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
可编程逻辑类型 FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.55 mm 1.55 mm
最大供电电压 1.25 V 1.25 V
最小供电电压 1.15 V 1.15 V
标称供电电压 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 17 mm 17 mm
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