| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| CTS521 | Toshiba(东芝) | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | 下载 |
| CTS521,L3F | Toshiba(东芝) | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2 | 下载 |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
| 参数名称 | 属性值 |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | 30V |
| 电流 - 平均整流(Io) | 200mA |
| 不同 If 时的电压 - 正向(Vf | 500mV @ 200mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 30µA @ 30V |
| 不同 Vr,F 时的电容 | 25pF @ 0V,1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 供应商器件封装 | CST2 |
| 工作温度 - 结 | 125°C(最大) |
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